IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30VMOSFET，适用于ORing和电机驱动应用

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: QFN封装 电机驱动 功率MOSFET 国际整流器公司 IR 应用 HEXFET 功率半导体
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 78
• 页数: 1页
• 分类号: TN405

摘要

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Re Ctlfier，简称JR）日前推出一系列新型HEXFET。功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻（RDS（on））的IRFH6200TRPbF。