与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究

• 作者: 李冰 杨万青 韩广涛
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CDMOS 漂移区 击穿电压 场板
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 23-28
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 4446字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.02.007

摘要

文章主要介绍了在O.5μm 5V CMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N-CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N-CDMOs最优化的器件结构与工艺参数.其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冰	东南大学集成电路学院	43	126	6.0	8.0
2	杨万青	东南大学集成电路学院	1	0	0.0	0.0
3	韩广涛		1	0	0.0	0.0