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摘要:
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锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
28 nm超大规模FPGA的BRAM单粒子效应测试方法研究
现场可编程门阵列
单粒子效应
块随机读取存储器
敏感位定位
测试方法
通用移动直播系统架构与技术细节
移动平台
编码
并发
动态码率自适应技术HLS
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 抢先一步,Altera公布28nm Stratix V FPGA技术细节
来源期刊 世界电子元器件 学科
关键词
年,卷(期) 2010,(5) 所属期刊栏目 业界访谈
研究方向 页码范围 85-86
页数 分类号
字数 1673字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-7604.2010.05.032
五维指标
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
世界电子元器件
月刊
1006-7604
11-3540/TN
16开
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
82-796
1995
chi
出版文献量(篇)
5855
总下载数(次)
6
总被引数(次)
6108
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