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强光致CCD过饱和效应机理分析
强光致CCD过饱和效应机理分析
作者:
姜宗福
张震
程湘爱
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
图像传感器
CCD
过饱和效应
串扰
复位电平
摘要:
分析了正常工作条件下CCD信号检测电路工作的全过程;指出了在正常工作状态下CCD对检测电路的注入是以低占空比的周期性窄脉冲方式进行的,配合有效的复位机制,使每个像素的复位电平保持为常值.根据CCD过饱和状态的产生条件和CCD信号传输沟道内的电势分布特点,提出了CCD过饱和状态的物理实质,即激光在CCD的受辐照点处提供了一个光生电流源,光生电荷将CCD的传输势阱全部填满之后使得CCD由一个电荷器件转变为一个电流器件.电流通过由CCD时钟的低电平所确定的沟道传输,使CCD对检测电路的注入以近乎连续的周期性长脉冲方式进行,导致了复位电平的改变,造成过饱和的视频图像.
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文献信息
篇名
强光致CCD过饱和效应机理分析
来源期刊
强激光与粒子束
学科
工学
关键词
图像传感器
CCD
过饱和效应
串扰
复位电平
年,卷(期)
2010,(2)
所属期刊栏目
高功率激光与光学
研究方向
页码范围
233-237
页数
5页
分类号
TN249
字数
2420字
语种
中文
DOI
10.3788/HPLPB20102202.0233
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
程湘爱
国防科学技术大学光电科学与工程学院
47
437
12.0
17.0
2
姜宗福
国防科学技术大学光电科学与工程学院
75
397
11.0
16.0
3
张震
国防科学技术大学光电科学与工程学院
11
110
6.0
10.0
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研究主题发展历程
节点文献
图像传感器
CCD
过饱和效应
串扰
复位电平
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
主办单位:
中国工程物理研究院
中国核学会
四川核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4322
CN:
51-1311/O4
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919-805信箱
邮发代号:
62-76
创刊时间:
1989
语种:
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
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