强光致CCD过饱和效应机理分析

• 作者: 姜宗福 张震 程湘爱
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 图像传感器 CCD 过饱和效应 串扰 复位电平
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 233-237
• 页数: 5页
• 分类号: TN249
• 字数: 2420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102202.0233

摘要

分析了正常工作条件下CCD信号检测电路工作的全过程;指出了在正常工作状态下CCD对检测电路的注入是以低占空比的周期性窄脉冲方式进行的,配合有效的复位机制,使每个像素的复位电平保持为常值.根据CCD过饱和状态的产生条件和CCD信号传输沟道内的电势分布特点,提出了CCD过饱和状态的物理实质,即激光在CCD的受辐照点处提供了一个光生电流源,光生电荷将CCD的传输势阱全部填满之后使得CCD由一个电荷器件转变为一个电流器件.电流通过由CCD时钟的低电平所确定的沟道传输,使CCD对检测电路的注入以近乎连续的周期性长脉冲方式进行,导致了复位电平的改变,造成过饱和的视频图像.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程湘爱	国防科学技术大学光电科学与工程学院	47	437	12.0	17.0
2	姜宗福	国防科学技术大学光电科学与工程学院	75	397	11.0	16.0
3	张震	国防科学技术大学光电科学与工程学院	11	110	6.0	10.0