Cu互连中Ta-Si-N/Zr阻挡层热稳定性的研究

• 作者: 丁明惠 毛永军 王本力 盖登宇 郑玉峰
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Ta-Si-N/Zr 扩散阻挡层 Cu互连 射频反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 993-996
• 分类号: TB331
• 字数: 2215字
• 语种: 中文

摘要

用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备Ta-Si-N(10 nm)/Zr(20 nm)双层结构的扩散阻挡层.Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品在高纯氮气的保护下从600至800℃退火1 h.通过四探针电阻测试仪(FPP)、SEM、XRD和AES研究Cu/Ta-Si-N/Zr/Si系统在退火过程中的热稳定性.结果表明:沉积到Zr膜上的Ta-Si-N表面平坦,为典型的非晶态结构;Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品650℃以上退火后Zr原子扩散到Si中形成的ZrSi2能有效地降低Ta-Si-N与Si之间的接触电阻;Ta-Si-N/Zr阻挡层750℃退火后仍能有效地阻止Cu的扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑玉峰		38	385	11.0	18.0
5	盖登宇		22	301	8.0	17.0
6	丁明惠		13	65	4.0	7.0
7	毛永军		1	2	1.0	1.0
8	王本力		2	5	2.0	2.0