电子束蒸镀H4膜工艺及其在808nm激光器腔面膜上的应用

• 作者: 么艳平 乔忠良 刘春玲 姜文龙 王广德 王春武 陈万金
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 H4膜 半导体激光器 腔面膜 电子束蒸发
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 3140-3144
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4|O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103712.3140

摘要

采用离子辅助电子束蒸镀H4(H4是两种激光损伤阈值较高的材料氧化钛和氧化镧化合而成,分子式LaTiO3)薄膜.研究了氧气压力和基底温度对薄膜的光学性能的影响.实验发现,随着基底温度升高,H4膜的折射率n明显增加,基底温度为100℃时,n(808nm)=2.14;随着氧气压力的降低,H4膜的消光系数k变化很小,氧气压力为2.67×102Pa时,在400nm以上波段儿乎没有吸收,k(100nm)-m×2X(-4)'.将优化的工艺参数用于8 n激光器腔面高反射膜的镀制,并与采用氧化钛作为高反射膜镀制的激光器进行了比较,获得的激光输出特性略好于氧化钛的器件.因此,采用H4制备半导体激光器高反射膜是一种完全可行的新方法.