用R-DCIV方法研究MOST过渡层影响

• 作者: 史振江 陈祖辉
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 金属氧化物晶体管 直流电压电流特性 二氧化硅层 过渡层
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 181-184
• 页数: 4页
• 分类号: TN321
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.06.054

摘要

为了研究MOS晶体管中过渡层对于电学特性的影响,通过采用电子-空穴复合的直流电压电流特性方法,改变MOST过渡层不同的参数,画出其界面电子-空穴复合的直流电流电压特性曲线,分析比较有无过渡层曲线的变化情况来讨论MOST的电学性质.通过分析得出过渡层对于晶体管的影响较小,在工业生产可以接受的误差范围之内,因此在工业生产中不必再刻意考虑过渡层对MOS晶体管造成不利影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史振江		1	1	1.0	1.0
2	陈祖辉		1	1	1.0	1.0