电化学诱导法制备二氧化硅薄膜材料

• 作者: 刘善堂 陈勇
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学诱导 二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TQ150.1
• 字数: 2450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2011.05.001

摘要

通过电化学诱导的溶胶-凝胶过程,以四甲氧基硅烷(TMOS)作为硅源,在氧化铟锡(ITO)电极表面制备了二氧化硅(SiO2)薄膜.使用扫描电镜(SEM)、紫外可见光谱(UV)和循环伏安法(CV)分别对薄膜的表面形貌、光吸收特性和导电性能进行了表征.结果表明:所施加的电压显著地影响SiO2薄膜的在固体表面上的生长.SEM图显示出在薄膜表面上没有明显的介孔结构.薄膜的紫外可见光谱在波长为430 nm处出现了SiO2分子的本征吸收峰,表明这固体表面上的材料主要是由SiO2构成的.循环伏安曲线证明该薄膜材料具有很高的电阻.这种电沉积的SiO2薄膜材料有望应用于分解有机污染物等领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈勇		1	2	1.0	1.0
2	刘善堂		1	2	1.0	1.0