Cu2-xS纳米管的制备及其表面光电性质

• 作者: 廖鑫 杨峰 蒲明华 赵勇
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2-xS纳米管 水热法 场诱导表面光电压谱
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 127-131
• 分类号: TH145.1
• 字数: 3745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.2011.01.020

摘要

为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见吸收光谱、表面光电压谱和场诱导表面光电压谱,研究其表面光电性质及光伏响应随电场变化的规律.结果表明:合成的Cu2-xS纳米管外径为325～675 nm,管壁厚为70～125 nm,长度为10～20μm;在300～800 nm紫外可见光谱范围内,存在两个吸收区域,场诱导表面光电压谱表明所制备的样品为n-型半导体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵勇	西南交通大学超导研究开发中心	92	334	11.0	17.0
3	蒲明华	西南交通大学超导研究开发中心	18	13	3.0	3.0
4	杨峰	西南交通大学超导研究开发中心	20	78	5.0	7.0
7	廖鑫	西南交通大学超导研究开发中心	3	7	1.0	2.0