N、Al、P替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响

• 作者: 徐庆强 李艳慧 柯三黄 胡功臣
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 化学
• 关键词: 石墨烯 掺杂 吸附 第一性原理
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 87-91
• 页数: 5页
• 分类号: O61

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了N、Al和P掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响。结果表明:N掺杂石墨烯为n型掺杂,提高了石墨烯体系的导电性;N、P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Si在石墨烯上的吸附位置有显著的影响;Al、P掺杂增强了Si在石墨烯上的吸附, N掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响很小;Si吸附在N-graphene、P-graphene体系具有磁性,Si吸附Al-graphene体系磁矩为零,不显示磁性。