硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅生长

• 作者: 刘小平 周浪 周蔺桐 尹传强 章爱生
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅熔体 硅晶体 碳化硅
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 761-765
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

工业生产的太阳能电池用多晶硅锭内部常出现碳化硅夹杂,影响太阳能电池的转换效率,特别是严重威胁硅片的切割生产过程。本文研究了硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅沉淀生长特性。在熔解实验中发现：即使在碳显著过饱和的情况下,碳化硅仍会熔解在1450℃的硅熔体中,同时熔体中易形核处发生新的碳化硅颗粒析出。在1350℃下进行了硅料中碳化硅沉淀的固相生长实验,结果表明晶体硅中碳化硅沉淀的高温固态生长十分缓慢。这一特性得到理论计算证实,它表明固相生长不可能是多晶硅锭中出现大颗粒碳化硅的原因。