Mn掺杂GaN(10(1-)0)薄膜第一性原理的研究

• 作者: 王吉霞 陈广伟 黄桂芹
• 来源期刊: 南京师大学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 薄膜 电子结构 几何结构
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 34-38
• 分类号: O484.4
• 字数: 3104字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4616.2011.02.007

摘要

采用第一性原理计算了Mn掺杂GaN非极性(10(1-)0)薄膜的原子和电子结构.结果表明弛豫后表层Ga原子向体内移动,与Ga原子成键的表层N原子向体外移动,表层Ga-N键长收缩并扭转.通过对Mn原子掺杂在不同层总能量的比较,发现GaN(10(1-)0)薄膜中Mn原子更容易在表层掺杂.弛豫后,掺杂在表层的Mn原子及与Mn原子成键的表层N原子都向体内发生很小的移动,Mn-N键没有发生明显扭转,但是弛豫后N原子向Mn原子靠近,Mn-N键收缩.Mn原子的掺杂使得Mn3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,自旋向上的能带占据费米面.掺杂后的薄膜表现为半金属性,适合于自旋注入.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄桂芹	南京师范大学物理科学与技术学院	12	16	2.0	3.0
2	王吉霞	南京师范大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0
3	陈广伟	南京师范大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0