表面印迹法制备钴(Ⅱ)离子印迹硅胶及性能

• 作者: 任泽岩 周勤 孙挺 范洪涛 袁自云 赵立兴 隋殿鹏
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 钴 二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷 吸附 离子印迹硅胶
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2902-2907
• 分类号: O632|O647.3
• 字数: 4364字
• 语种: 中文

摘要

采用表面印迹技术,以Co(Ⅱ)离子作为印迹离子,二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷为功能分子,硅胶为支撑物,环氧氯丙烷为交联剂,在硅胶表面制备Co(Ⅱ)离子印迹硅胶材料,利用红外光谱仪、扫描电镜和热重分析仪等进行了表征,采用平衡吸附法研究了印迹硅胶材料的吸附性能和选择识别能力.结果表明,印迹硅胶材料和非印迹硅胶材料的最大吸附量分别为35.2和6.5 mg/g；印迹硅胶材料对Co(Ⅱ)离子的吸附行为符合Langmuir模型；20 min即可达到吸附平衡；当pH=3.9 ～7.8时,印迹硅胶材料保持了较好的吸附容量；印迹硅胶材料对Co(Ⅱ)离子具有较强的选择性识别能力；重复使用时性能稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙挺	东北大学化学系	103	954	14.0	25.0
2	范洪涛	东北大学化学系	12	77	6.0	8.0
4	隋殿鹏	东北大学化学系	14	200	7.0	14.0
7	赵立兴	东北大学化学系	1	19	1.0	1.0
8	任泽岩	东北大学化学系	1	19	1.0	1.0
9	袁自云	东北大学化学系	1	19	1.0	1.0
10	周勤	东北大学化学系	1	19	1.0	1.0