用全地区MOSFET建模进行CMOS模拟设计

• 作者: Cherem M6rcio Schneider（著）
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS技术 MOSFET 模拟设计 建模 模拟电路设计 FET模型 模拟集成电路 设计方法
• 年，卷（期）: gwkjxspj_2011,（1）
• 页码范围: 19
• 页数: 1页
• 分类号: TN912.3

摘要

本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了全地区MOSFET建模的设计方法。本书覆盖了模拟电路设计的基本知识。不同于以往标准的平方率模型，本书介绍了一种对各个应用领域都有效的基于MOSFET模型的独特的设计方法。