Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展

• 作者: 刘超 曾一平 李彦波 赵杰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅱ-Ⅵ族镉化物 分子束外延 太阳电池 X射线探测器 红外焦平面阵列
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 1-5,14
• 分类号: O472
• 语种: 中文

摘要

Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用.文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态,并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所材料科学中心	85	439	11.0	16.0
2	刘超	中国科学院半导体研究所材料科学中心	128	874	18.0	25.0
3	赵杰	中国科学院半导体研究所材料科学中心	30	470	12.0	21.0
4	李彦波	中国科学院半导体研究所材料科学中心	4	12	2.0	3.0