68Ge-68Ga发生器吸附剂SnO2的制备

• 作者: 傅红宇 张君丽 李江航 李锦富 沈亦佳 王刚 罗文博
• 来源期刊: 核化学与放射化学
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 68Ge68 Ga发生器 吸附 淋洗
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 240-244
• 分类号: TL922
• 字数: 4169字
• 语种: 中文

摘要

为制备适用于68Ge-68 Ga发生器的吸附剂,用热HNO3氧化金属锡制备SnO2,对SnO2吸附剂的制备工艺及其性能进行了研究.制备得到以SnO2作为吸附剂的68Ge-68 Ga发生器,并对其吸附行为与淋洗效率进行了研究.结果表明,600℃高温焙烧获得的SnO2适于用作68Ge-68 Ga发生器的吸附剂,其对68Ge有较好的选择性吸附,用8 mL l mol/L HCl淋洗,68Ga的淋洗效率为60％～80％,68Ge的漏穿率大部分为10-3％量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅红宇		5	13	3.0	3.0
2	沈亦佳		7	9	2.0	2.0
3	李锦富		4	8	2.0	2.0
4	王刚	中国原子能科学研究院原子高科股份有限公司	8	13	2.0	3.0
5	罗文博		1	3	1.0	1.0
6	李江航		1	3	1.0	1.0
7	张君丽		3	4	1.0	2.0