微波注入反相器基本电路的非线性效应

• 作者: 朱占平 王弘刚 赵素波 钱宝良
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 注入实验 非线性扰乱 反相器电路 闩锁 互补型金属氧化物半导体
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 高功率微波发展、效应及相关技术
• 页码范围: 2855-2860
• 分类号: TN432
• 字数: 3412字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112311.2855

摘要

采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化.实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10％以上；有效注入功率大于30 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10％以上.相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大.非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40～70 ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱宝良	国防科学技术大学光电科学与工程学院	76	386	10.0	13.0
2	王弘刚	国防科学技术大学光电科学与工程学院	17	90	6.0	8.0
3	朱占平	国防科学技术大学光电科学与工程学院	7	44	5.0	6.0
4	赵素波	国防科学技术大学光电科学与工程学院	2	7	2.0	2.0