CMOS反相器的电磁干扰频率效应

• 作者: 杜正伟 陈杰
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS反相器 器件物理模拟 电磁干扰 翻转 耦合
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 147-151
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122401.0147

摘要

利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz～20 GHz电磁干扰作用下的响应.仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容耦合到输出端,干扰CMOS反相器的工作状态;CMOS反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低.