碳化硅表面镀钴的电磁屏蔽效能研究

• 作者: 谭宏斌
• 来源期刊: 山东陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学镀 钴 电磁屏蔽效能
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 科学实验
• 页码范围: 14-16
• 分类号: TQ174.5
• 字数: 2291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0639.2011.01.005

摘要

本文将碳化硅经过预处理(除油--粗化--敏化--活化--还原)后分别在不同的pH值(9,10,11)的镀液中进行化学镀钴,镀液温度为80℃,施镀时间为60 min.研究镀液的不同pH值对试样电磁屏蔽效能的影响.结果表明:镀液的pH值为10时获得的镀钴碳化硅,在11GHz屏蔽效能达到最大,其值为8.4dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭宏斌	陕西理工学院材料学院	84	370	10.0	15.0