内建电场和杂质对双电子柱形量子点系统束缚能的影响

• 作者: 王宗篪 苏春燕 郑冬梅
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 柱形量子点 内建电场 杂质 束缚能
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 96-103
• 分类号: O472
• 字数: 6235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.016

摘要

在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响.结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态.带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大.随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小.与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宗篪	三明学院物理与机电工程系	44	80	5.0	5.0
2	郑冬梅	三明学院物理与机电工程系	28	57	4.0	6.0
3	苏春燕	三明学院物理与机电工程系	1	5	1.0	1.0