基于有效介电函数的SOI材料的光学表征

• 作者: 侯维娜 周建超 蒋泽
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SOI材料 红外光谱 有效介质近似 总反射系数
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 728-732
• 分类号: TN204
• 字数: 624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3979/j.issn.1673-825X.2011.06.016

摘要

通过参考有关文献关于卢瑟福背向散射能谱(rutherford back scattering spectrometry,RBS)、透射电镜(transmission electron microscope,TEM)、俄歇电子能谱(auger electron spectroscopy,AES)、红外反射谱法(infrared reflection,IR)等手段对绝缘衬底上硅(silicon-on-insulator,SOI)微结构的分析研究,提出并建立了一种基于SOI有效介质近似理论的多层薄膜结构模型.基于该模型,利用总反射系数对红外光谱进行模拟能很好地揭示此材料的光学表征,验证了红外反射光谱法作为一种高灵敏度的分析技术,无论是受SOI材料中所注硅岛的体积分数比,或是其几何分布等的影响,都能准确地反馈材料的光学表征信息.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋泽	重庆邮电大学光电工程学院	46	192	7.0	12.0
2	侯维娜	重庆邮电大学光电工程学院	43	151	7.0	11.0
3	周建超	重庆邮电大学光电工程学院	3	7	1.0	2.0