Gd2O2S电子结构及光学性质的第一原理研究

• 作者: 连景宝
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: Gd2O2S 第一原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 1029-1033
• 分类号: TB34
• 字数: 3093字
• 语种: 中文

摘要

利用基于密度泛函理论的第一原理方法研究了Gd2O2S的电子结构及光学性质.能带结构分析表明:Gd2O2S是一种间接带隙的半导体材料,其间接带隙值为3.22 eV,且价带顶和导带底分别位于G点和M点.态密度计算表明价带顶部由O2p和S 3p态杂化而成,导带底部主要由Gd 5d态构成.在对带隙进行1.15 eV的剪刀修正后,通过第一原理方法研究了Gd2O2S的光学性质.计算并分析了Gd2O2S的介电函数、复折射率、吸收系数和透光率.其中,静态折射率的计算值与实验值吻合得很好,Gd2O2S在可见到红外区的理论透光率的计算值为76.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	连景宝	辽宁石油化工大学机械工程学院	29	51	4.0	5.0