锑膜修饰电极差分脉冲溶出伏安法测定食品中痕量铅、镉

• 作者: 公维磊 杨金玲 王长芹
• 来源期刊: 中国食品卫生杂志
• 学科: 化学
• 关键词: 同位镀锑膜 金电极 差分脉冲溶出伏安法 铅 镉 食品污染物 食品安全
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 实验技术与方法
• 页码范围: 524-527
• 分类号: O657.1
• 语种: 中文

摘要

目的 考察并优化同位镀锑膜电极差分脉冲溶出伏安法测定铅、镉的条件.方法 采用差分脉冲溶出伏安法,以锑膜修饰金电极作为工作电极测定食品中痕量铅、镉离子.结果 铅、镉在锑膜电极上可得到灵敏的溶出峰,铅、镉的溶出电位分别为0.58 V(Epb)和0.81 V(Ecd).当电沉积时间为180 s时,铅、镉的检出限分别为1.95和2.10 μg/L,RSD分别为1.14％和0.95％,铅、镉溶出峰电流同0～100μg/L铅、镉离子呈良好的线性关系(r≥0.997).结论 利用本方法测定了食品样品中铅、镉的含量,并与石墨炉原子吸收分光光度法做了对比,结果令人满意,同时使用锑膜修饰电极可避免使用汞膜电极带来的环境污染.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨金玲		49	136	6.0	8.0
2	公维磊		41	114	5.0	7.0
3	王长芹		39	119	5.0	8.0