平面型GaN p-n结探测器的制备与性能

• 作者: 刘诗嘉 包西昌 张文静 李向阳 李超
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 平面型探测器 GaN 离子注入 电流特性 响应率
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 全国半导体物理学术会议邀请报告选编
• 页码范围: 246-249
• 分类号: TN364+.2
• 字数: 2618字
• 语种: 中文

摘要

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了p-GaN单晶薄膜.高温(＞1100℃)处理及未处理样品的双晶摇摆曲线测试表明高于1150℃会使材料的晶体质量明显变差,这为平面型紫外探测器制备中的部分注入激活条件提供了选择依据.通过TRIM软件优化了注入条件,在选择性注入改型材料上成功制备了平面GaN p-n结型光电探测器.测试结果表明:室温下的零偏压暗电流密度为4.7 nA/cm2,而-5 V偏压下的暗电流密度则达到了67 μA/cm2.室温下的峰值响应率0.065A/W出现在368 nm处.在低温下器件的峰值响应明显降低,80 K时,360nm处的峰值响应率仅为0.039A/W.禁带宽度、串联电阻、内建电场等是引起探测器响应率随温度降低的原因.