超薄氧化层制备及其可靠性研究

• 作者: 刘国柱 吴晓鸫 林丽 王新胜 许帅 陈杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄氧化层 TDDB QBD 早期击穿
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 29-32
• 分类号: TN305
• 字数: 2656字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.03.008

摘要

文章简述了超薄氧化层SiO2,的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法,氧化温度,氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响.实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm~5nm、均一性小于2.0%超薄氧化层;RCA清洗工艺过程中,APM中的NH3·H2O含量过高,会对衬底硅表面产生损伤,致使氧化层的早期失效高,击穿电荷量QBD差;在干氧N/O分压的过程中,采用N,退火,可有效地改善超薄氧化层的致密性,从而提高氧化层QBD.通过实验进行优化,在800℃、O2/DCE、N2退火条件下,可制备5nm氧化层,其可靠性能为:最大击穿电压49.1V,平均击穿电压7.1V,击穿电场16.62MV·cm-1,早期失效率3.85%,击穿电荷量QBD>15C.cm-2点可达61.54%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国柱		15	32	4.0	4.0
2	陈杰		21	35	3.0	5.0
3	林丽		4	13	2.0	3.0
4	许帅		3	3	1.0	1.0
5	王新胜		2	3	1.0	1.0
6	吴晓鸫		6	2	1.0	1.0