基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器

• 作者: 侯立峰 王晓曼 钟钢
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 AlN膜 钝化层
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201138.0902002

摘要

高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件.对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力；采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200 μm的AIN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件；对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AIN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW.AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能.