180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素

• 作者: 刘必慰 梁斌 秦军瑞 陈书明 陈建军
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子闩锁 器件模拟 设计加固
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 计算机工程·电子工程
• 页码范围: 72-76
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2486.2011.03.015

摘要

研究了影响SEL敏感性的关键因素.针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响.模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大,找出了电路发生闩锁的敏感区域,得出了温度、阱/衬底接触的位置、NMOS与PMOS间距等因素与SEL敏感性之间的关系,并从理论上进行了解释,总结了降低单粒子闩锁效应的有效方法,研究结果能为深亚微米体硅工艺下的抗SEL加固设计提供有效的指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机学院	17	101	6.0	9.0
3	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0
4	陈建军	国防科技大学计算机学院	15	50	6.0	6.0
5	秦军瑞	国防科技大学计算机学院	6	23	4.0	4.0