铅在铜上电沉积的原位椭圆偏振法

• 作者: 吴进芳 张胜涛 李文坡 王艳茹
• 来源期刊: 应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: 原位椭圆偏振光谱法 铅电沉积 铜
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 55-59
• 分类号: O646
• 字数: 2674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1095.2011.00140

摘要

采用循环伏安法(CV)和原位椭圆偏振法(SE)研究铅在铜电极上的电沉积行为.原位椭圆偏振参数ψ和△值的变化率在CV图峰电位处同时出现极值.通过建立单层膜模型描述"电极-溶液"界面的结构并对椭圆偏振光谱数据进行拟合得到铅沉积层厚度随电位的变化规律.拟合结果显示,铅在铜电极上的电沉积有3个不同的沉积速率,-0.20～-0.35 V之间沉积速率为0.003 nm/mV,-0.35～-0.48 V之间沉积速率为0.025 nm/mV,-0.48～-0.60 V之间沉积速率为0.116 nm/mV,由此表明铅的电沉积分为3个不同阶段:欠电位沉积阶段、欠电位沉积向本体沉积的过渡阶段和本体沉积阶段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张胜涛	重庆大学化学化工学院	188	2189	26.0	36.0
2	李文坡	重庆大学化学化工学院	16	80	4.0	8.0
3	王艳茹	重庆大学化学化工学院	3	30	2.0	3.0
4	吴进芳	重庆大学化学化工学院	2	5	1.0	2.0