离子注入型Si-PIN半导体探测器的研制

• 作者: 卜忍安 宋明东
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si-PIN探测器 离子注入 漏电流 能量分辨率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 47-50
• 分类号: TL814
• 字数: 2331字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2011.06.012

摘要

本文系统地介绍了Si-PIN探测器对带电粒子、中子、射线的探测原理.针对灵敏面积为φ30mm×420μm的Si-PIN探测器,详细地介绍了设计方法和工艺流程,并指出了影响探测器性能的关键工艺.采用离子注入和平面工艺不仅能够降低漏电流,提高探测器的能量分辨率,而且使得探测器对高温环境和真空都很稳定.最后初步介绍了探测器的电特性(I-V特性,C-V特性)的变化趋势,以及探测特性参数的测量方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卜忍安	西安交通大学电子物理与器件研究所	17	74	4.0	8.0
2	宋明东	西安交通大学电子物理与器件研究所	1	5	1.0	1.0