利用电化学方法制备有序多孔硅阵列

• 作者: 刘珂 徐前刚
• 来源期刊: 沈阳航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料学 多孔硅 电化学刻蚀 阳极氧化
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料工程
• 页码范围: 43-47
• 分类号: TN205|TN305.7|TB383
• 字数: 2578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1248.2011.05.010

摘要

采用电化学刻蚀的方法,在自制的电解槽中制备n型＜100＞晶向多孔硅条状阵列.通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察,并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究.实验结果表明,多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定,多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小,加大电流密度可以消除刻痕.多孔硅分叉是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的,而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行.本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐前刚	沈阳航空航天大学材料科学与工程学院	14	38	4.0	6.0
2	刘珂	沈阳航空航天大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0