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摘要:
采用电化学刻蚀的方法,在自制的电解槽中制备n型<100>晶向多孔硅条状阵列.通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察,并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究.实验结果表明,多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定,多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小,加大电流密度可以消除刻痕.多孔硅分叉是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的,而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行.本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义.
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内容分析
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文献信息
篇名 利用电化学方法制备有序多孔硅阵列
来源期刊 沈阳航空航天大学学报 学科 工学
关键词 材料学 多孔硅 电化学刻蚀 阳极氧化
年,卷(期) 2011,(5) 所属期刊栏目 材料工程
研究方向 页码范围 43-47
页数 分类号 TN205|TN305.7|TB383
字数 2578字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.2095-1248.2011.05.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐前刚 沈阳航空航天大学材料科学与工程学院 14 38 4.0 6.0
2 刘珂 沈阳航空航天大学材料科学与工程学院 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
材料学
多孔硅
电化学刻蚀
阳极氧化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
沈阳航空航天大学学报
双月刊
2095-1248
21-1576/V
大16开
辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街37号
1984
chi
出版文献量(篇)
2881
总下载数(次)
10
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导