电化学刻蚀多孔硅阵列的形貌研究

• 作者: 于怀娜 刘小林 陈婷婷 顾牡 黄世明
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学刻蚀 多孔硅阵列 形貌 孔径调控 模板引导 X射线转换屏
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: TQ035|TL816+.1
• 字数: 3119字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.11.012

摘要

采用电化学刻蚀法在P型硅中制备多孔阵列结构。通过实验研究和理论分析，分别讨论硅片电阻率、电流密度、电解液组分对多孔硅形貌的影响。结果表明，在P型硅中电阻率决定了孔洞能否形成；改变电流密度，可以有效调控孔径大小；在电阻率30~50Ω·cm、电流密度20×10–3A/cm2的条件下，可以得到最优化多孔硅结构。通过模板引导法制备了高度有序的多孔硅阵列，孔径2.5μm，周期4μm。在电解液中添加十六烷基三甲基氯化铵（CTAC），反应生成的气泡更容易逸出，有利于改善多孔硅阵列形貌。研究成果为基于硅孔洞填充的像素化X射线闪烁转换屏的研制提供了必要的基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾牡	同济大学物理科学与工程学院上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室	76	433	13.0	16.0
2	刘小林	同济大学物理科学与工程学院上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室	26	123	6.0	9.0
3	黄世明	同济大学物理科学与工程学院上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室	7	21	3.0	4.0
4	陈婷婷	同济大学物理科学与工程学院上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室	6	53	3.0	6.0
5	于怀娜	中国科学院上海应用物理研究所	2	3	1.0	1.0