直流电化学腐蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

• 作者: 乔淑欣 张乐欣 李志全 滕峰成 蔡亚楠
• 来源期刊: 理化检验-物理分册
• 学科: 工学
• 关键词: 直流电化学腐蚀 正交实验 多孔硅 表面形貌
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 实验技术与方法
• 页码范围: 392-395
• 页数: 4页
• 分类号: TB302
• 字数: 2925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4012.2006.08.005

摘要

采用正交实验,直流电化学腐蚀法制备多孔硅.用原子力显微镜对表面进行观察,研究电化学腐蚀参数对其表面形貌的影响.氢氟酸浓度(CHF)升高,使临界电流密度(JPS)增大,有利于多孔硅的形成.电流密度(J)增大,多孔硅的孔隙率和孔径随之变大,而其纳米粒径将变小.腐蚀时间(t)越长,孔径越大,孔越深.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志全	河北燕山大学电气工程学院	1	5	1.0	1.0
2	乔淑欣	河北燕山大学电气工程学院	1	5	1.0	1.0
3	蔡亚楠	河北燕山大学电气工程学院	1	5	1.0	1.0
4	滕峰成	河北燕山大学电气工程学院	1	5	1.0	1.0
5	张乐欣	河北燕山大学亚稳材料制备与科学国家重点实验室	1	5	1.0	1.0