多孔硅阵列结构的形貌研究

• 作者: 伍建春 展长勇 王春芬 范晓强 蒋勇 邹宇 黄宁康
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅阵列 中子探测器 形貌 异丙醇 阳极氧化
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 2439-2442
• 页数: 4页
• 分类号: TL816.3
• 字数: 3328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132509.2439

摘要

采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+ IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响.结果表明:在质量分数40％HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列；腐蚀电流密度越大,孔壁越薄；初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10 μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔.CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加.