半导体制造用碳化硅粉体偶联剂表面改性

• 作者: 李星 铁生年
• 来源期刊: 科技导报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 表面改性 KH-550硅烷偶联剂 分散性
• 年，卷（期）: 2011,（19）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 29-33
• 分类号: TQ174
• 字数: 4763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3981/j.issn.1000-7857.2011.19.003

摘要

采用KH-550硅烷偶联剂对SiC粉体进行表面改性,通过单因素实验及正交试验确定出改性过程最优化工艺参数:反应温度90℃,反应时间4h,KH-550硅烷偶联剂用量1.5g,并通过扫描电镜、X射线衍射仪、红外光谱仪、激光粒度分析仪对制备的改性粉体进行表征,分析改性对Sic料浆分散稳定性的影响.结果表明,SiC微粉经偶联剂处理后没有改变原始SiC微粉的物相结构,只是改变了其在水中的胶体性质;中位径d0.5略有减小,粒度分度分布范围变窄,扫描电子显微镜(SEM)显示微粉团聚现象减少,分散性得到改善;改性SiC微粉与原始SiC微粉相比,表面特性发生了很大变化,在酸性条件下Zeta电位有显著的提高,PH值为3.78时,Zeta电位获得最高正电位为41mV,悬浮液的分散稳定性得到明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	铁生年	青海大学非金属材料研究所	110	679	13.0	21.0
2	李星	青海大学非金属材料研究所	14	221	8.0	14.0