掺碲硒化镓晶体的光学性能

• 作者: ANDREEV Y M IZAAK T I LANSKII G V SHAIDUKO A V SVETLICHNYI V A VAYTULEVICH E A ZUEV V V 古新安 朱韦臻 罗志伟
• 来源期刊: 中国光学
• 学科: 物理学
• 关键词: 硒化镓 掺碲硒化镓 晶体生长 光学性能 太赫兹
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 功能材料
• 页码范围: 660-666
• 分类号: O484.41
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1531.2011.06.020

摘要

采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的转换。吸收光谱测试结果表明：当Te掺杂浓度小于0.38%时,振动中心位于0.59 THz附近的E＇（2）刚性模式吸收峰强度可达最大值,这一过程与GaSe∶Te晶体光学性能的提高密切相关。但Te掺杂浓度的进一步提高会导致E＇（2）刚性模式吸收峰强度逐渐减弱,当Te掺杂浓度为1%时,E＇（2）刚性模式吸收峰基本消失。这两个过程与GaSe∶Te晶体光学质量的下降密切相关。因此,E＇（2）刚性模式吸收强度达到最高时对应的掺杂浓度即是GaSe∶Te晶体中Te的最佳掺杂浓度,光整流产生太赫兹过程证实了此结论的正确性。