外加高频电场对核径迹化学蚀刻过程及微孔形态影响研究

• 作者: 徐世平 王建晨 王玉兰 陈晖
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 高频电场 蚀刻 通孔时间
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 852-855
• 分类号: TQ150
• 语种: 中文

摘要

为研究聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)单面蚀刻的详细过程,利用自制蚀刻装置的电流信号对核孔膜单面蚀刻过程进行监测.对装置的本底电流进行研究分析,发现本底电流主要由装置中的电容控制,受膜厚影响,与温度无关.利用装置的电流信号对蚀刻过程进行了记录,根据电流信号的变化可将整个蚀刻过程分为3个阶段.综合研究了外加高频交流电场的有无及强度对蚀刻过程、通孔时间及核孔膜微孔孔形的影响.发现高频交流电场的存在使通孔时间缩短;在相同的蚀刻条件下,孔形更接近柱形,且这两种作用随着电场强度的增加而加强,并在10 V/cm的电场强度附近时达到饱和.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建晨	清华大学核能与新能源技术研究院	56	239	8.0	10.0
2	徐世平	清华大学核能与新能源技术研究院	14	95	6.0	9.0
3	陈晖	清华大学核能与新能源技术研究院	2	3	1.0	1.0
4	王玉兰	清华大学核能与新能源技术研究院	2	6	2.0	2.0