化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验

• 作者: 孙言飞 杨玮 简基康
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 纳米线 化学气相沉积法
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 实验教学
• 页码范围: 1-5
• 分类号: O782
• 字数: 2500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2011.02.001

摘要

在无催化剂辅助条件下,采用化学气相沉积法生长了GaN纳米线.通过调整衬底、NH3气流、生长时间等,实现了半导体GaN纳米线的生长以及形貌调控.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征.获得了合成GaN纳米线的优化条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简基康	新疆大学物理科学与技术学院	28	85	5.0	7.0
2	孙言飞	新疆大学物理科学与技术学院	53	313	10.0	15.0
3	杨玮	新疆大学物理科学与技术学院	2	5	1.0	2.0