静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究

• 作者: 任迪远 余学峰 崔江维 李明 李茂顺 李豫东 王义元 高博
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 60Coγ 总剂量辐射损伤效应 SRAM型FPGA CMOS单元
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 436-441
• 分类号: TP333
• 语种: 中文

摘要

本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小.