三星量产新型NAND闪存芯片 比现在快10倍

• 作者: 沈熙磊
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: NAND闪存 闪存芯片 内存芯片 传送速度 速度比 批量生产 数据传输速度 固态硬盘 平板电脑 技术制造
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 17-17
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

【正】据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。三星电子在声明中称,这种闪存芯片的密度为64GB,配置一个DDR 2.0接