Ge( SiO2)n团簇结构和电子性质的密度泛函理论研究

• 作者: 井群 张建军 曹海宾 杨增强 葛桂贤 闫红霞
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: (SiO2)n和Ge(SiO2)n团簇 几何结构 电子性质
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 原子、分子与团族物理
• 页码范围: 667-675
• 分类号: O561
• 字数: 4835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2011.04.013

摘要

采用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)对Ge(SiO2)n(n=1～7)团簇的几何构型进行优化,并对能量、频率和电子性质进行了计算.结果表明,Ge(SiO2)n的最低能量结构是在(SiO2)n端位O原子以及近邻端位O原子的Si原子上吸附一个Ge原子优化得到;随着锗原子数的增加,增加的锗原子易与原来的锗原子形成锗团簇.掺杂锗原子后团簇的能隙比(SiO2)n团簇的能隙小,当多个Ge原子掺杂到(SiO2)3团簇时,其能隙随着Ge原子个数的增加出现了振荡,Gem(SiO2)3的能隙从可见光区到近红外光区变化.二阶能量差分、分裂能表明Ge(SiO2)2和Ge(SiO2)5团簇是稳定的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹海宾	石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室	25	38	4.0	5.0
2	张建军	石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室	19	49	4.0	6.0
3	葛桂贤	石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室	11	39	3.0	6.0
4	闫红霞	石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室	4	5	2.0	2.0
5	杨增强	石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室	7	15	2.0	3.0
6	井群	石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室	3	4	2.0	2.0