超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析

• 作者: 张万荣 沈珮 谢红云 金冬月 黄毅文
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器(LNA) SiGe异质结双极晶体管 超宽带(UWB) 阻抗匹配 噪声系数
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 先进制与自动技术
• 页码范围: 77-82
• 分类号: TN722.3
• 字数: 3976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2011.01.013

摘要

设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带(UWB)SiGe HBT低噪声放大器(LNA).因为摒弃了使用占片面积大的电感,所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本.在新型放大器的反馈支路中,使用了复合分布式电阻和隔直流电容,代替了传统的单一电阻.用这种方式设计的LNA,仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配,同时不牺牲偏置.最终设计出的LNA版图面积仅为0.144mm2.仿真实验显示,在3.1～10GHz超宽频带内,新型UWB LNA实现了低于4.5dB的噪声系数、高达20dB的增益(增益平坦度仅为1.032dB),小于1.637的输出端驻波比,大于2.3的稳定因子.此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与工程控制学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与工程控制学院	49	155	8.0	8.0
3	谢红云	北京工业大学电子信息与工程控制学院	66	215	8.0	9.0
4	沈珮	北京工业大学电子信息与工程控制学院	18	85	6.0	7.0
5	黄毅文	北京工业大学电子信息与工程控制学院	4	16	2.0	4.0