0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计

• 作者: 张弘 梁元
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: CMOS射频集成电路 超宽带低噪声放大器 双通道
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 页码范围: 37-41,46
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz频点的IIP3为-4dBm,输入、输出反射系数分别小于-10.2dB和-10.89dB,噪声指数单调下降到1.46dB,并且总功耗和带内最大增益摆幅较低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弘	西安电子科技大学微电子学院	8	39	3.0	6.0
2	梁元	西安电子科技大学微电子学院	3	5	2.0	2.0