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0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计
0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计
原文服务方：
微电子学与计算机
摘要：
本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz频点的IIP3为-4dBm,输入、输出反射系数分别小于-10.2dB和-10.89dB,噪声指数单调下降到1.46dB,并且总功耗和带内最大增益摆幅较低.
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研究主题发展历程
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CMOS射频集成电路
超宽带低噪声放大器
双通道
研究起点
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期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位：
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1000-7180
CN：
61-1123/TN
开本：
大16开
出版地：
邮发代号：
创刊时间：
1972-01-01
语种：
chi
出版文献量（篇）
9826
总下载数（次）
0
总被引数（次）
59060
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