NiFe2O4铁氧体薄膜溅射产额的蒙特卡罗模拟

• 作者: 余忠 兰中文 史富荣 孙科 李金龙 李雪
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: NiFe2O4铁氧体薄膜 溅射产额 SRIM程序 蒙特卡罗方法
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 11-14
• 分类号: TM277.1
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2011.01.005

摘要

通过蒙特卡罗方法,运用SRIM程序,模拟了Ar+轰击NiFe2O4铁氧体靶材的过程,研究了不同入射能量及角度Ar+轰击NiFe2O4靶材引起的溅射产额.结果表明:离子垂直入射时NiFe2O4中各元素的溅射产额和出射原子能量都随入射离子能量的增大而增大;各元素产额的比率在低能离子入射时,变化较大,但能在较大的入射离子能量范围内保持相对稳定的值;离子斜入射时,随着入射离子角度增加,各元素的溅射产额先增大,后减小,并在77°左右达到最大值;离子入射角度变化时,并不严重影响各元素之间产额的比率,且组分比率能在较大的离子入射角度范围内保持相对稳定的值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	兰中文	电子科技大学微电子与固体电子学院	111	1184	19.0	29.0
2	余忠	电子科技大学微电子与固体电子学院	78	842	16.0	26.0
3	孙科	电子科技大学微电子与固体电子学院	53	316	9.0	15.0
4	李金龙	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	28	4.0	5.0
5	李雪	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	44	4.0	6.0
6	史富荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	9	2.0	2.0