英特尔3-D三栅极晶体管设计获评科技创新奖

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管设计 科技创新奖 英特尔 栅极 3-D 《华尔街日报》 批量生产 摩尔定律
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 页码范围: 32-32
• 分类号: TN7
• 字数: 676字
• 语种: 中文

摘要

《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3．D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3．D三栅极晶体管结构代表着从2．D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3．D三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又—个新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。