65nmSpansionFL—S：NOR闪存

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: NOR闪存 Spansion 闪存产品 温度范围 DRAM 用户体验 电子产品 前端设计
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 页码范围: 27-27
• 分类号: TP333
• 字数: 1241字
• 语种: 中文

摘要

Spansion推出串行闪存产品65nm Spansion FL-SNOR闪存系列。Spansion FL-S系列提供出色性能、汽车级温度范围，并且在某些应用领域可代替DRAM产品，不断满足工程师日益增加的需求，从而助其提升用户体验并开发具有创新性能、丰富图像及前端设计的新一代电子产品。该产品系列现提供128Mb-1Gb密度范围。