外延生长四方相Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜

• 作者: 刘敬松 徐光亮 曹林洪 李惠琴
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 外延生长 Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜 射频磁控溅射 漏电流 损耗
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 70-74
• 分类号: TM22
• 字数: 2780字
• 语种: 中文

摘要

以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜.X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZTⅡ(001)[010]SROⅡ(001)[010]LAO.虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相.对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流.氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降.电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降.当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降.