碲锌镉面元辐射探测器堆积载流子屏蔽效应

• 作者: 张流强 曹玉琳 王玺 聂玲 肖沙里 陈宇晓 黎淼
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射成像探测 半导体探测器 碲锌镉 光生载流子 屏蔽效应 像素阵列
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1433-1436
• 分类号: TL816.2
• 字数: 1489字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112306.1433

摘要

采用铑(Rh)靶45 kV X射线源进行了碲锌镉(CdZnTe)面元像素阵列探测器成像实验.实验结果表明:在探测距离1 mm,管电压45 kV条件下,管电流增大至20μA时,辐照中心区域像素单元信号丢失,出现围绕辐照中心区域的边缘高事件计数环形探测图像.随着管电流的增大,无响应像素区域扩大,探测器总体事件计数明显降低.进一步根据泊松方程建立了CdZnTe晶体内部电势分布模型,仿真结果表明:单位面积光子通量为5×105 mm-2·s-1时,由于CdZnTe晶体较低的空穴迁移率,晶体内部存在堆积空穴载流子形成的高空间电荷密度分布区域.晶体内部电场产生扭曲,电子载流子无法迁移至对应阳极位置,导致辐照中心区域产生信号屏蔽效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖沙里	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	123	988	14.0	24.0
2	陈宇晓	中国工程物理研究院电子工程研究所	32	161	7.0	10.0
3	张流强	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	34	188	7.0	11.0
4	聂玲	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	13	137	7.0	11.0
5	黎淼	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	7	30	4.0	5.0
6	曹玉琳	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	58	5.0	6.0
7	王玺	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	7	30	4.0	5.0