软特性650V IGBT：低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

• 作者: Andreas Hrtl Marco Bssler Wilhelm Rusche
• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 电磁干扰 电压尖峰 优化器件
• 年，卷（期）: bpqsj_2011,（7）
• 页码范围: 81-83
• 页数: 3页
• 分类号: TM58

摘要

近年来，功率半导体厂商致力于提高器件的开关速度，这带来了开关损耗降低和系统能效提升的益处。这些功率器件需要优化的直流电路寄生电感（Ls）。为了满足具有大电流的高功率应用的需求，推出了一种全新的芯片650V IGBT4，旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度，并且由于关断电流变化率di／dr的降低，带来了更低的关断电压尖峰。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Wilhelm Rusche		3	0	0.0	0.0
2	Andreas Hrtl		1	0	0.0	0.0
3	Marco Bssler		1	0	0.0	0.0