SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析

• 作者: 刘明光 温家良 金锐 雷海峰
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 碳化硅 反向恢复 少子寿命
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 103-105
• 分类号: TN31
• 字数: 1207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2011.06.037

摘要

对碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)在升压斩波电路中的应用进行了深入研究.实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复电流约为普通Si二极管的1/4,同时对IGBT开通时的电流过冲有很好的抑制作用.此外,对载流子寿命对二极管反向恢复的影响进行了仿真分析,结果表明,缩短少数载流子寿命能很好地抑制反向恢复电流峰值,减小反向恢复时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温家良		27	927	16.0	27.0
2	刘明光		101	826	15.0	24.0
3	雷海峰		2	10	2.0	2.0
4	金锐		2	10	2.0	2.0