大功率高可靠性垂直腔面发射激光器阵列研究

• 作者: 姜琛昱 宁永强 崔锦江 施燕博 檀慧明 武晓东 王帆 田玉冰 董宁宁
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 垂直腔面发射激光器 阵列 可靠性
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201138.0802011

摘要

针对980 nm激光波长设计了InGaAs/GaAsP材料多周期增益量子阱结构.垒层采用带隙更宽的GaAsP材料代替常规GaAs,改善了效率随温度升高而降低的问题,同时又能满足长寿命激光工作的需要.周期增益量子阱结构提高了有源区的单程增益,降低了闭值,提高了输出功率.制作出新结构的集成单元数为4x4,单元直径30pm的阵列器件,工作电流为5.88A时连续激光功率达到2W;窄脉冲宽度1μs,重复频率100Hz,工作电流60A时输出功率达到30W,且均未达到饱和状态.此阵列器件在工作电流为1-4A时发散角半宽均小于16:°.利用加速老化方法对阵列器件的寿命进行了测试,推算出30℃的寿命可达5280h以上,并分析了影响大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)可靠性的主要因素.